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2A開關單節/兩節锂電充電管理IC-VAS5175A應用設計注意事項
文章来源:永阜康科技 更新时间:2019/7/20 9:11:00

1~2節锂電池開關型充電芯片VAS5175A

應用場景:
降壓型1~2節锂電池充電
特點:
●1MHz同步降壓
●可編程(最大2A)恒流充電
●高達93%的效率
●雙LED充電指示
●溫度補償、過溫度保護
●電池短路保護
●電池溫度檢測、異常保護
●高精度
■ ±1% 电池电压(CV)
■ ±10% 充电电流(CC)

VAS5175A雙節串聯锂電池充電

注:
1. 双节充电设置:CELL引脚浮空。
2. 输入使用肖特基二极管做防逆灌。
3. 充电电流等于30mV/RSNS,例如:RSNS=20mΩ,充电电流=30mV/20mΩ=1.5A。
4. LX须使用RC减震线路;LX对GND使用肖特基续流二极管可以提升3%以上效率。
5. VIN 9.0~12V,输入电解可以不使用;VIN>12V,须放置一颗100uF的电解电容来吸收电源插入时的浪涌
與突破。
6. TS需加0.1uF的滤波电容,消除TS浮空或纯电阻下拔插产生杂讯所导致的误动作。TS接地可屏蔽NTC功能。
7. 充电RLED/BLED为ON/OFF;充饱或电池未接时RLED/BLED为OFF/ON;温度异常或电池短路时LED交互闪烁。
8. 充饱后, BLED转为ON, 开始36分钟的背景涓充,计时完毕后停止充电。
9. 自带热反馈调节, IC EP要接PCB地铺铜。

VAS5175A單節锂電池充電

注:
1. 单节充电设置:CELL引脚接GND。
2. VIN<5.5V时,输入使用PMOS防逆灌;VIN>5.5V时,输入可以使用肖特基防逆灌(参考典型应用一)
3. 充电电流等于30mV/RSNS,例如:RSNS=20mΩ,充电电流=30mV/20mΩ=1.5A。
4. LX须使用RC减震线路;LX对GND使用肖特基续流二极管可以提升3%以上效率。
5. VIN 9.0~12V,输入电解可以不使用;VIN>12V,须放置一颗100uF的电解电容来吸收电源插入时的浪涌
與突破。
6. TS需加0.1uF的滤波电容,消除TS浮空或纯电阻下拔插产生杂讯所导致的误动作。TS接地可屏蔽NTC功能。
7. 充电RLED/BLED为ON/OFF;充饱或电池未接时RLED/BLED为OFF/ON;温度异常或电池短路时LED交互闪烁。
8. 充饱后, BLED转为ON, 开始36分钟的背景涓充,计时完毕后停止充电。
9. 自带热反馈调节, IC EP要接PCB地铺铜。

雙面面玻纖板設計

1. 红色为电流路径,请增大走线。
2. IC的EP须与底层GND相连。
3. 输入1uF+0.1uF(C4+C3)的Cap起稳压及滤波作用,布板时尽量靠近IC,并且GND端要与IC的GND(底部焊盘)以最短距离相连。特别注意:如此点未处理好,会导致工作异常或数据跑偏。
4. BS的Cap(C2),要尽量靠近IC,走线不宜过长。
5. CS、BAT的直接从RSNS(R3)两端采样,避免走线带来的阻抗导致电流的偏移。
6. CS、BAT前的两颗0.1uF的滤波电容(C5+C6),布板时尽量靠近IC,两颗电容需要共地,并且GND端要与IC的GND(底部焊盘)以最短距离相连。
7. 输入与输出的电解电容,要更好的达到效果,电流路径必须经过此电解电容,如图C1A、C8A所示。

單面玻纖板設計

1. 红色为电流路径,请增大走线。
2. 蓝色为GND路径,请严格按照此路走线。
3. 如果充电电流大于1A,为了避免输入GND走线过细的问题,C2可以换成插件使用在BS与LX之间,以增加输入GND的延续性。
4. 输入1uF+0.1uF(C4+C3)的Cap起稳压及滤波作用,布板时尽量靠近IC,并且GND端要与IC的GND(底部焊盘)以最短距离相连。特别注意:如此点未处理好,会导致工作异常或数据跑偏。
5. BS的Cap(C2),要尽量靠近IC,走线不宜过长。
6. CS、BAT的直接从RSNS(R3)两端采样,避免走线带来的阻抗导致电流的偏移。
7. CS、BAT前的两颗0.1uF的滤波电容(C5+C6),布板时尽量靠近IC,两颗电容需要共地,并且GND端要与IC的GND(底部焊盘)以最短距离相连。
8. 输入与输出的电解电容,要更好的达到效果,电流路径必须经过此电解电容,如图C1A、C8A所示。

 
 
 
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